产品详情
| 品牌:LEM | 加工定制:否 | 型号: ITN1000-S ITN12-P | ||||
| 制作工艺:薄膜 | 输出信号:模拟型 | 材料:陶瓷 | ||||
| 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:多晶 | 线性度:0.00115 %F.S |
主要特点:
标称电流测量:从600年到900年ADC
良好的线性从1到1.5 ppm
高分辨率
初始偏移量从10到15 ppm
低的抵消漂移从0.3到0.5 ppm / K
总体偏差

@ IPN @ + 25°C:< + / - 0.002%
宽的频率带宽高达300千赫(+ / - 3 dB)
2年保修
直流、交流脉冲电流的测量电隔离
磁通门技术
初级和次级电路之间的静电屏蔽
电源+ / -15伏特
操作温度范围从+ 10 + 50°C
sub 9男中共接口输出
电流输出
真的快速响应时间(< 250 ns)



